持续着力功率半导体升级扩张

公司于8 月4 日披露定增方案，公司拟向包括屹唐同舟、汉江控股、王鑫及邢雁在内的不超过5 名特定对象，发行股份不超4262.4 万股，募资不超过7 亿元，投入新型高功率半导体器件产业升级项目。

定增对象中，屹唐同舟及汉江控股为公司战略投资者，王鑫为公司董事，邢雁系公司实控人，同时汉江控股拟成为公司控股股东新仪元的一致行动人。本次定增体现了公司大股东及高管对于持续升级扩张功率半导体业务、致力于成为中国最具竞争力的功率半导体提供者的决心。

定增项目包括IGBT 模块封测线（兼容SiC 等第三代宽禁带半导体功率器件）、高功率半导体脉冲功率开关生产线、晶圆线扩建项目（配合固态脉冲开关）和新型高功率半导研发和营销中心项目。公司预计项目达产后年均营收为7.98 亿元，年均税后利润为1.44 亿元，所得税后静态投资回收期为5 年（含建设期）。我们看好定增项目助力公司进一步提升竞争力。

高功率半导体脉冲功率开关：渗透率较低，看好国产替代前景

高功率半导体脉冲功率开关在国内渗透率仍然较低，公司具有行业领先的技术和产品，具有完全自主知识产权的超大半导体脉冲功率开关技术达到国际领先水平。公司产品在强磁场、强激光领域等细分领域占据大部分市场份额。开关元件技术壁垒高，目前主要被几大巨头垄断，公司在今年6月表示公司已经利用现有产线平台实现量产，开关产品技术指标达到国际先进水平，能取代进口，看好未来国产替代前景。

提前卡位布局第三代宽禁带半导体

以SiC 和GaN 为代表的第三代半导体材料具有宽禁带、损耗低、耐高温等特点，在功率半导体和射频器件等方面应用广泛，是未来的发展趋势。目前市场主要被国外巨头垄断，国产替代空间广阔。公司已经积极与国内外知名高等院校合作，提前卡位布局，持续跟踪第三代半导体的技术研发。

功率半导体市场——“新能源汽车+国产替代”双重驱动

受惠于新能源汽车需求的显著增长，我们认为IGBT 的增量空间广阔，SiC市场可能会因为高成本限制产能扩张出现供不应求的情况。

目前高端功率半导体市场主要由欧美大厂垄断，但国际功率半导体厂商尚未形成专利和标准的垄断。而国内厂商在服务客户需求和降低成本等方面具有竞争优势。我们认为，功率半导体的国产替代空间十分广阔。

盈利预测与估值：我们预计公司2019-2021 年的EPS 分别为0.56、0.73、0.96 元/股，维持目标价23.15 元不变，给予“买入”评级。

风险提示：新能源汽车普及、公司IGBT 项目量产、公司研发进度不及预期。