本期投资提示:
工信部官方文件披露国产ArF 光刻机进入推广应用阶段。9 月9 日,工信部公布《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》,其中集成电路生产装备章节列示了氟化氪(KrF)光刻机、氟化氩(ArF)光刻机两项,意味着国产KrF、ArF 光刻机已完成首台生产、进入推广应用阶段。
工信部列示的国产ArF 光刻机对应制程≤65nm,预计为干式DUV 光刻机。根据工信部文件所示的核心技术指标,该ArF 光刻机分辨率≤65nm,即对应单次曝光关键尺寸≤65nm(通俗称即为制程≤65nm),预计为数值孔径(NA)相对较低的干式ArF 光刻机。2018 年3 月上海微电子的干式ArF 光刻机SSA600 通过验收,SSA600 最高可满足12 寸线90nm 光刻工艺需求,工信部列示的ArF 光刻机与SSA600 均为干式+ArF 光源,但制程更先进,预计因数值孔径有所增加、但仍有较大提升空间。
工信部列示的国产ArF 光刻机套刻精度≤8nm,尚有提升空间。根据工信部文件所示的核心技术指标,该ArF 光刻机套刻精度≤8nm,作为对标,当前ASML 生产的干式ArF 光刻机主力机型NXT:1470,其分辨率≤57nm、套刻精度≤4.5nm。套刻精度即多次光刻的图案层之间的对齐精度,多重曝光工艺对套刻精度的要求更高,预计工信部列示的ArF 光刻机尚需提升套刻精度才能满足多重曝光工艺。
国产光刻机及光刻工艺技术持续进展,信息部分公开提振市场信心。此前国产光刻机相关公开信息较少,保密程度高,而2024 年以来,3 月22 日华为公开四重曝光工艺技术改进优化的专利,6 月20 日工信部发布《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》公示稿(后于9 月9 日正式发布),9 月10 日上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的专利,国内光刻设备及曝光工艺公开信息增多,有助于提振市场信心。
工信部指导目录亦列示涂胶显影、CMP、量测等半导体设备。工信部在推广应用指导目录中,列举了涂胶显影机(工艺节点等于或优于28nm)、化学机械抛光机(工艺节点等于或优于14nm)、光学线宽量测装备等,其余亦包含湿法清洗、氧化炉、离子注入等环节装备,当前国产半导体设备多领域处于研发突破关键阶段,短板领域未来有望加速补齐,助力先进制程产线国产化率进一步提升。
投资分析意见:官方披露核心设备进展提振市场信心,国产光刻机相关产业链受益,国内晶圆厂扩产自主可控可期,国产半导体设备整体受益。国产光刻机相关标的:茂莱光学,波长光电,炬光科技,福晶科技;半导体设备公司:中微公司(刻蚀、薄膜沉积等),北方华创(薄膜沉积、刻蚀、清洗设备、氧化炉等),中科飞测、精测电子(前道检测量测设备),拓荆科技(薄膜沉积、键合设备等),芯源微(涂胶显影、清洗设备等)。
风险提示:国内设备厂商研发进程不及预期;国内晶圆厂扩产进度不及预期。