本报告导读：

若7nm 及更先进工艺芯片进口受阻，则有望加速国产半导体设备自主可控进程。

投资要点：

投资建议：若国内7nm及更新进工艺芯片进口受限，国内高端手机及高性能运算相关的发展势必受损。7nm 及更新进工艺芯片的突破口主要集中在：①前道制程设备加速升级迭代与国产化进程；②先进封装发展提速。上述举措均有望加速半导体设备国产替代进程，当前国产化率较低环节（量检测、离子注入、涂胶显影、刻蚀、沉积等）受益将更为明显。推荐标的：1）量检测环节：中科飞测、精测电子；2）离子注入环节：华海清科；3）键合设备：快克智能。

受益标的包括北方华创、中微公司、拓荆科技、芯源微、盛美上海等。

事件：根据集微网消息，台积电拟从11 月11 日起暂停向中国大陆AI/GPU 客户供应7nm 及更先进工艺芯片。

半导体设备国产替代有望加速，瓶颈环节设备有望充分受益。目前，全球具备7nm 制程逻辑芯片批产能力的晶圆厂主要为台积电、三星、英特尔。7nm 及以下制程芯片主要应用于高端手机、AI/GPU 等领域，当前上述制程国产芯片受制于设备和工艺等瓶颈尚无法满足国内需求。若以台积电为主的非美系晶圆厂受美国芯片出口管制政策影响，收紧7nm 及以下制程芯片对华出口，则国内7nm 及以下制程芯片将存在加大供需缺口。当前，国内主流晶圆厂7nm 及以下制程芯片的扩产仍受限于无法配齐整套前道设备。故若上述举措落地，将进一步加速国产半导体设备的迭代升级及国产替代进程。我们认为目前国产化率较低的光刻机、量检测设备、离子注入、涂胶显影、刻蚀、薄膜沉积等环节设备将充分受益。

作为提升芯片性能的另一利器，先进封装扩产有望提速。摩尔定律驱动下，芯片性能提升主要依赖前道制程微缩实现。前道制程微缩带动的芯片性能提升的投入产出比日益降低，先进封装正成为超越摩尔定律的另一项手段来实现芯片性能的提升。若国内7nm 芯片进口受限，在国内前道加速突破的同时，先进封装亦有望同步推进带动国内早日突破7nm 及以下制程的封锁。与传统封装相比，先进封装新增工艺以前道工艺为主，其中增量明显的工艺来自于清洗、CMP、键合、刻蚀、薄膜沉积等。上述领域设备有望受益于国内先进封装扩产。

风险提示：国产替代不及预期、行业扩产不及预期、市场竞争加剧