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东微半导(688261):聚焦新能源高景气赛道 一季度业绩保持高增长

国投证券股份有限公司 2023-05-01

事件:公司发布2023 年一季报,2023 年一季度实现营业总收入30217.08 万元,较上年同期增长46.93%;营业利润8058.17 万元,较上年同期增长45.72%;利润总额8058.17,较上年同期增长45.72%;归属于母公司所有者的净利润7112.65 万元,较上年同期增长48.98%;归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润6724.54 万元,较上年同期增长42.77%;基本每股收益1.06元,较上年同期增长37.66%。

持续拓展新兴市场,销售规模不断扩大:公司持续加大新兴市场的拓展力度,聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道,不断进行产品技术迭代及产品组合结构的优化,扩大了公司的销售规模,盈利能力不断提升。公司2023 年一季度实现营业总收入30217.08万元,较上年同期增长46.93%;营业利润8058.17 万元,较上年同期增长45.72%,毛利率33.02%,去年同期32.93%;归属于母公司的净利润率23.54%,去年同期23.51%,持续位于较高水平。

研发力度加强,产品性能领先:公司是以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,基于多年的技术优势积累,产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力,公司已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。公告披露,公司高压超级结 MOSFET 产品运用电容缓变技术、超低栅极电荷等行业领先的核心技术,关键技术指标达到与国际领先厂商可比水平;中低压产品技术水平亦达到国内领先水平;超级硅系列 MOSFET 产品已经研发成功并实现量产出货;新型结构 TGBT 的多款产品进入批量生产状态。公司持续加大研发投入,2023 年一季度研发费用1901.90 万元,相较上年同期增长129.7%。

超前布局第三代半导体研发及产业化:报告期内,公司在第三代半导体研发及产业化方面进行了超前布局,在 SiC 二极管、SiC MOSFET 及 Si2C MOSFET 器件上取得了较大的研发进展,公司开发出 SiC 二极管,并发明具有自主知识产权的 Si2C MOSFET。

其中,Si2C MOSFET 已通过客户的验证并开始小批量供货,应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等,有望为公司带来新增长。

投资建议:我们预计公司2023 年~2025 年收入分别为16.28 亿元、22.17 亿元、30.64 亿元,归母净利润分别为3.97 亿元、5.25亿元、7.44 亿元,给予2023 年40 倍PE,对应目标价235.6 元,维持“买入-A”投资评级。

风险提示:新能源行业景气度不及预期;产品价格波动风险;研发进度不及预期。

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