微导纳米为ALD 设备龙头，依托这一平台型技术拓展光伏&半导体领域的应用。微导纳米成立于2015 年，将ALD 应用至光伏（2022 年收入占比73%）、半导体（2022 年收入占比7%）、新型显示等领域。

ALD 技术：自限制性优势明显，应用领域广泛。相较于PVD、CVD 等薄膜沉积技术，ALD 最大的特点在于自限制性，这一特点使其具备薄膜控制精确度高和台阶覆盖率高的优势，特别适合在对薄膜质量要求高和内部结构复杂的领域应用，包括光伏、半导体等。

光伏ALD 适用多条技术路线，微导纳米为国内龙头。ALD 设备可用于PERC、TOPCon、钙钛矿等，公司均有相应布局，ALD 设备市占率领先，并拓展了PECVD、PEALD、扩散退火、TOPCon 整线工艺解决方案等，受益于下游扩产，2023 年公司光伏领域新签订单为去年同期的2.92 倍。

半导体先进逻辑及存储领域ALD 渗透率提升。随着45nm 以下先进制程的发展，原来用于成熟制程的PVD、CVD 等无法满足部分工序要求，ALD 的应用环节逐步拓宽，其膜厚精度控制和高台阶覆盖率的特性适合在45nm 以下节点以及复杂的3D 结构等领域应用。（1）逻辑：45nm先进制程下栅介质层适用high-K 材料，ALD 适用于沉积该种材料，20nm 先进制程下器件由MOSFET 转向结构更复杂的FinFET，5nm 以下向GAAFET 转变，ALD 高覆盖率的优势显著；（2）存储：3D NAND、DRAM 等存储器件的复杂结构需要高深宽比，ALD 具备良好的台阶覆盖能力。

存储领域空间更大&头部存储器厂有望重启扩产，微导纳米为ALD 龙头充分受益。相较于逻辑，ALD 在存储领域具备更大的市场，相近制程下存储所需的ALD 设备数量约为逻辑的4-5 倍；一线存储厂商2023年受政策影响扩产暂缓，未来随着国产技术突破及国产设备引入，资本开支有望加速，利好国产设备商，目前ALD 设备TEL 和ASM 合计占比约75%，微导纳米为国内ALD 领军者，逻辑&存储市场开拓顺利，2023 年半导体领域新签订单是去年同期的3.29 倍。

依托ALD 技术延展性&客户协同性，微导纳米布局CVD 设备。CVD市场空间约为ALD 的2-3 倍且国产化率仍有待提升，如拓荆科技在PECVD 和SACVD 市场份额分别为17%和25%，微导纳米进一步拓展CVD 设备，进行差异化竞争，以打开更大的市场空间。

盈利预测与投资评级：我们预计微导纳米2023-2025 年归母净利润分别为2.8/6.0/8.1 亿元，当前股价对应动态PE 分别为分别60/28/21 倍，首次覆盖给予“增持”评级。

风险提示：光伏下游装机量和扩产不及预期，晶圆厂资本开支下滑的风险，研发进展不及预期。