事件：1 月25 日，海力士发布4Q23 业绩，同时指引2024 年存储依旧供不应求，周期持续向上。且云侧的HBM，以及端侧的DDR5 等新品迎来快速成长，2023 年海力士HBM3 销量增长5 倍以上，DDR5 销量增长4 倍以上，预计2024 年资本开支更重心投向HBM、DDR5 等高附加值产品。

与此同时，国内DDR5 产业链公司澜起科技、聚辰股份发布2023 年业绩预告，受益DDR5 产品出货提升，23Q4 业绩回暖明显。

海力士2023Q4 业绩超预期，指引2024 年存储持续提价：海力士23Q4营收11.31 万亿韩元，同比+47%，环比+25%； 毛利率为19.7%， 同比+20pcts，环比+19pcts。

分结构看，DRAM 营收7.35 万亿韩元，同比+59.65%，环比+20.99%。出货量环比增长低个位数百分点，ASP 环比增长高十位数百分点。NAND 营收3.28 万亿韩元，同比+42.45%，环比+33.95%。出货量环比下降低个位数百分点，ASP环比上升40%。

展望24Q1，预计存储价格持续向上，DRAM 位元出货量预计环比下降15%左右，NAND 位元出货量环比增长5%左右。

2024 年全年，预计DRAM 和NAND 需求将增长中高十位数百分比，供给将增加低个位数百分比，供不用求持续推动价格上行；DRAM 和NAND 将分别于24H1 和24H2 达到正常库存水位；资本开支小幅增加，扩产重心向HBM\DDR5 等高价值量产品。

AI 浪潮催化HBM 等需求激增，龙头大厂加速HBM3e 认证。2023 年海力士HBM3 销量增长5 倍以上，DDR5 销量增长4 倍以上。AI 强劲需求催生HBM 供不应求，海力士预计HBM 中长期需求将年增高达60%，且若AI 应用超预期发则增速将更高。海力士预计24 年H1 HBM3e 将开始大规模供应，并正在开发HBM4 产品，此外美光、三星也正加速HBM3e 认证。从时点来看，根据TrendForce 研究，美光、海力士、三星分别于23 年7 月底/8 月中/10 月初提供8hi（24GB）HBM3e NVIDIA 样品，预计有望于2024 年Q1 逐步完成验证。

DDR5 接口芯片龙头业绩预告超预期，服务器复苏驱动DDR5 持续渗透：

海力士指引2024 年云服务商资本支出将增加，通用服务器出货量将恢复增长，服务器复苏将有助于DDR5 持续渗透。根据Omdia 预测，2023 年Q4 DDR5渗透率预计将超过20%（基于服务器DRAM），2024 年将进一步上升至51%。

此外，1 月26 日晚国内DDR5 内存接口芯片龙头澜起科技及配套SPD 合作公司聚辰股份也发布了2023 年业绩预告，财报显示业务回暖明显，也进一步论证服务器去库尾声，DDR5 正加速迎来渗透，带动产业链公司业绩增长。其中澜起科技2023 年Q4 预计实现营收7.4 亿元~7.6 亿元，环比增长24.7%~28.0%，环比改善主要受益于DDR5 内存接口芯片（特别是第二子代产品）及内存模组配套芯片出货量进一步提升。聚辰股份未披露单Q4 营收环比情况，但也于预告中表示，公司第四季度特别是12 月份的SPD 产品销量及收入环比实现较大幅度增长，相关业务回暖趋势明显。

投资建议：我们认为2024 年是存储的关键一年，云侧的HBM 需求旺盛，新“玩家”不断涌现；端侧DDR5 成为标配，AI 硬件呼唤高速率大容量。建议关注：1）HBM 创新：美光科技；2）服务器DDR5：澜起科技、聚辰股份。

风险提示：下游需求不及预期的风险；DDR5 渗透不及预期的风险；AI 应用落地不及预期的风险。