事件:中国台湾地区存储行业公布2024 年2 月份营收数据,其中南亚科营收为30.51 亿新台币;华邦电营收为62.07 亿新台币;旺宏营收为17.33 亿新台币。
消费淡季导致台企单月营收环比下降,DRAM价格有望逐季上涨。2024 年2月份,南亚科营收同比增长50.56%,环比下降0.32%;华邦电营收同比增长8.03%,环比下降3.05%;旺宏营收同比下降16.22%,环比下降9.46%。
南亚科表示,DRAM 从2023 年第4 季感受到市场微幅复苏,持续受AI 应用带动HBM 需求,加上转换至DDR5 趋势带动,看好2024 年DRAM 价格有机会持续逐季上涨。旺宏表示,今年第一季产能利用率维持不变,NOR Flash在穿戴与工控需求相对持稳,但仍有库存问题,高容量产品看2024 年有机会有复苏的迹象。
需求端:产品库存仍然偏高,AI 需求拉动产品容量增长。据CFM 闪存市场表示,目前服务器内存价格继续上调,LPDDR 价格普涨,但渠道DDR 资源溢出严重,渠道DRAM 库存水位偏高仍需时间消化。部分SSD 需求端有回补库存的空间。据TrendForce 集邦咨询表示,2024 年DRAM 及NAND Flash在各类AI 延伸应用,如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长,又以服务器领域成长幅度最高,Server DRAM 单机平均容量预估年增17.3%;Enterprise SSD 则预估年增13.2%。
供给端:原厂谨慎恢复产能,加码扩产HBM产品。SK 海力士表示,无锡工厂通过1a 纳米转换实现DDR5 和LPDDR5 等产品的量产,扩大工厂的产能利用率;铠侠日前也宣布,将重新审视自2022 年以来一直实施的NAND Flash的减产计划,酌情增加产量,据称预计到今年3 月,该工厂的利用率将恢复到90%左右,具体取决于市场需求。SK 海力士在财报中表示,计划在2024年增加资本支出,并将生产重心放在HBM 等高端存储产品上。美光科技在近期表示将正式量产业界领先的HBM3E 解决方案,美光的8 层堆叠24GBHBM3E 将用于英伟达H200 Tensor Core GPU,该GPU 将于2024 年第二季度开始发货。
存储价格涨势延续,存储市场持续复苏。据CFM 闪存市场数据显示,今年Flash 价格仍在小幅上涨,512Gb TLC Flash Wafer 价格年初至今涨幅为13%,DRAM 也恢复到去年初的价格水平,DDR4 16Gb 3200 年初至今涨幅为10%。
在原厂价格全面上涨之下,韩国2 月半导体出口额同比大增66.7%至99 亿美元,创下近76 个月以来的最高值,环比1 月增长5.8%,连续四个月增长。
其中,存储芯片出口额为60.1 亿美元,同比增长108.1%,环比增长14%。
另据存储相关的数据显示,2 月韩国SSD 出口额同比增长了18.4%,这主要也受益于存储价格的上涨。整体来看,存储行情仍处于持续复苏的势头中,成品端与原厂资源供应越紧密,价格涨势越明确。
关注行业库存消化速度,AI服务器有望拉动高容量产品需求增长:随着消费电子产品等下游需求逐渐恢复,行业库存消化速度加快;同时,随着下游内存模组厂商库存水位的逐步改善,以及DDR5 内存模组的渗透率持续提升,存储价格将有望进一步增长。服务器市场中,AI 算力升级带动服务器的CPU迭代并提升GPU 需求,带动AI 服务器存储容量和价值量较传统服务器数倍增长。在训练型AI 服务器中GPU 承担大部分算力,算力要求撬动了HBM 等新型存储器市场;随着AI 服务器需求持续增加,高容量的存储产品需求有望得到进一步增长。看好东芯股份、聚辰股份、恒烁股份、普冉股份。
风险提示:消费电子需求复苏不及预期;市场竞争加剧风险;行业周期波动影响;技术革新风险。