事件：公司发布2023 年三季度业绩报告，2023 年前三季度公司实现营收3.71亿元，同比下降60.84%；实现归母净利润-1.46 亿元，同比下降153.96%；实现扣非净利润-1.57 亿元，同比下降161.58%。分季度看，公司2023 年Q3 实现营收1.31 亿元，同比下降43.81%，环比增长13.54%；实现归母净利润-0.71 亿元，同比下降226.13%，环比亏损增大；实现扣非净利润-0.76亿元，同比下降268.61%，环比亏损增大。

需求平淡影响业绩，计提存货减值影响利润：2023 年Q3，公司营收同比下降，主要系市场景气度下降，产品市场价格下滑。2023 年Q3，公司毛利率为7.53%，同比减少22.74pcts，环比减少0.84pct；净利率为-53.00%，同比减少81.60pcts，环比减少20.12pcts。Q3 净利率同比环比均下降，主要系：

1. 公司营收和毛利率水平同比大幅下降，2. 公司财务费用增加，去年同期受美元升值影响汇兑收益较大，3. 公司研发费用增长，4. 公司计提存货跌价减值2842.44 万元。费用端：2023 年Q3 销售/管理/研发/财务费用率分别为5.57%/12.75%/32.73%/-6.70% ， 同期变动分别为+3.50/+6.18/+20.40/+10.64pcts。公司研发费用率同比提升，主要系本期随着研发项目的新增和现有项目的展开，研发人员、加工服务费等均较去年同期大幅增加。

产品矩阵持续完善，加码研发赋能未来增长：公司持续加大研发投入，NANDFlash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片产品技术“护城河”持续拓宽。NANDFlash 产品方面，公司基于2xnm 制程上持续开发新产品，不断扩充SLC NANDFlash 产品线，各项新产品陆续进入研发设计、首次晶圆流片、晶圆测试、样品送样等阶段；先进制程的1xnm NAND Flash 产品已完成晶圆制造及功能性验证，正在进行晶圆测试及工艺调整。NOR Flash 产品方面，公司在48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前，512Mb、1Gb 大容量NOR Flash产品方面已有样品完成可靠性验证；同时，55nm 制程产线的各项新产品陆续进入研发设计、晶圆制造、样片验证等阶段。DRAM 产品方面，公司将不断丰富DRAM 自研产品组合，提高产品市场竞争力。自主研发的LPDDR4x产品正在积极送样验证的过程中。关于车规产品，目前公司的NANDFlash 及NORFlash 均有产品通过AEC-Q100 的测试，公司将继续在严苛的车规级应用环境标准下开发新的高可靠性产品，扩大车规级产品线的丰富度。

国产替代大有可为，产品价格受益存储涨价有望改善：大宗存储产品大部分以PC 和手机等大消费产品为主，公司的存储产品以网络通信、可穿戴设备以及工业控制等为主要应用领域。根据IrendForce 集邦咨询报道显示，三大IDM 厂均已启动减产，三星、美光、SK 海力士 2023 年第二季稼动率环比普遍下修。随着海外大厂逐步退出利基市场，国产厂商迎来发展机遇，中国大陆及中国台湾厂商逐步占据了利基型存储市场的主要份额。近年来本士厂商持续加大研发投入，竞争实力不断增强。未来随着市场景气度的回升和需求的逐渐恢复，国产替代趋势的日益加强，从全球范围来看，中国市场仍有较大机会。公司表示：大宗存储的原厂通过减产的方式试图使价格回升，目前确实看到价格恢复的迹象；大宗产品和利基产品价格的周期性规律并不完全相同，但大宗价格回暖对于整个存储市场信心的恢复具有积极的作用。据TrendForce 集邦咨询研究显示，2023 年第四季度，Mobile DRAM 合约价季涨幅预估将扩大至13~18%；NAND Flash 方面，eMMC、UFS 合约价涨幅约10~15%。公司表示，公司涉及的存储芯片产品价格处在底部企稳的状态，公司预计随着未来下游需求的复苏，产品价格将逐步好转，公司存货情况有望进一步改善。随着大数据时代的向前推进，元宇宙、自动驾驶、人工智能等数据密集型应用技术不断涌现，有望引领数据存储浪潮。

下调盈利预测，维持“增持”评级：公司聚焦存储芯片行业，以SLC NAND Flash产品作为业绩增长点，并持续对NOR Flash、DRAM 进行制程与容量的升级。

未来随着存储市场需求逐渐恢复，国产替代趋势日益加强，公司的SLC NAND产品有望为业绩增长注入全新动能。受市场景气度下降的影响，我们下调盈利预测，预估公司2023 年-2025 年归母净利润为-0.79 亿元、0.83 亿元、2.66亿元，EPS 分别为-0.18 元/股、0.19 元/股、0.60 元/股，24-25 年的PE 分别为182X、57X。

风险提示：市场竞争风险、下游需求不及预期、技术开发和迭代升级风险、市场竞争加剧