本报告导读：

美国对华新一轮半导体设备出口限制政策或出台，美系厂商主导的刻蚀、沉积、量检测、离子注入等主要前道设备进口或进一步受阻，倒逼国产设备加速替代。

投资要点：

投资建议：美 系半导体设备进口或进一步受阻，对标国产设备有望加速替代。此外先进封装作为提升芯片性能的又一利器，或加速发展对冲国内前道制造落后状态。推荐标的：1）量检测环节：中科飞测、精测电子；2）离子注入环节：华海清科；3）键合设备：快克智能。受益标的包括北方华创（刻蚀、沉积）、中微公司（刻蚀、沉积、量检测）、拓荆科技（沉积、键合）、芯源微（键合）、盛美上海（清洗等）等。

事件：根据集微网消息，拜登政府或于感恩节（2024 年11 月28 日）假期前公布对华半导体新的出口限制，预计将有多达200 家中国芯片制造商列入贸易限制名单，禁止大多数美国供应商向目标公司供货。此外对高带宽内存芯片（HBM）的限制措施或于2024 年12 月推出。

美系厂商主导的刻蚀、沉积、量检测、离子注入等主要前道设备进口或进一步受阻，倒逼国产设备加速替代。自2018 年，美国对华先进制程相关芯片生产制造的限制持续加强。美系半导体设备厂商应用材料、Lam Research、KLA 等在刻蚀、沉积、量检测、离子注入等关键前道设备领域均接近垄断地位，尤其是先进制程。本轮出口限制涉及多达200 家中国芯片制造商，涉及范围较广。该政策若出台，国内芯片厂商获得上述美系设备难度将进一步提升，有望倒逼相关国产设备加速替代。国产厂商目前涉及上述领域的有：①刻蚀设备：北方华创、中微公司；②薄膜沉积：拓荆科技、北方华创、中微公司等。③离子注入：华海清科（参股公司芯嵛半导体）、万业企业、中科信等；④量检测设备：中科飞测、精测电子、中微公司、天准科技等。

作为提升芯片性能的另一利器，先进封装扩产有望提速。摩尔定律驱动下，芯片性能提升主要依赖前道制程微缩实现。前道制程微缩带动的芯片性能提升的投入产出比日益降低，先进封装正成为超越摩尔定律的另一项手段来实现芯片性能的提升。若国内7nm 芯片进口受限，在国内前道加速突破的同时，先进封装亦有望同步推进带动国内早日突破7nm 及以下制程的封锁。与传统封装相比，先进封装新增工艺以前道工艺为主，其中增量明显的工艺来自于清洗、CMP、键合、刻蚀、薄膜沉积等。上述领域设备有望受益于国内先进封装扩产。

风险提示：国产替代不及预期、行业扩产不及预期、市场竞争加剧