一、事件概述

近期，根据新华网和集微网的消息，国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房完成提前封顶。

二、分析与判断

国家存储项目推进超预期，将带动下游材料、设备等进入国产化加速阶段

1、本次提前封顶的项目（一期）生产及动力厂房建筑面积为52.4 万平米，预计将于2018 年投入使用。项目（一期）规划投资240 亿美元，将建设3 座3D NANDFlash 生产厂房，达产后，总产能将达到30 万片/月，年产值将超过100 亿美元。

2、我们认为，集成电路产业迎来黄金发展阶段，国家存储器基地项目是国内存储器芯片IDM 模式的重大突破，将迎来厂房装修、设备进厂与调试、试产等阶段，其顺利推进将拉动EPC、半导体材料（电子化学品、溅射靶材等）、专用设备等环节的旺盛需求。

重申观点：项目起点高、投资力度大、资源高度集中，有望突破技术瓶颈并实现量产

1、从日、韩半导体发展历程上看，日本政府在1976~1979 年组织了5 家最大的半导体制造商形成集成电路研究团队，并投入大量资金和人力，于1980 年研制出64K DRAM 存储器（比美国早半年）和256K DRAM 存储器（比美国早2 年）；20 世纪80 年代末的韩国政府以存储器作为突破口，形成“官民一体”的DRAM存储器研发小组，投入大量资源突破存储器技术，1994 年三星电子在全球率先推出256M DRAM，随后韩国半导体产业便超越日本成为世界第一。

2、项目瞄准存储器新兴领域中的3D NAND Flash，通过与飞索半导体合作、集中资源进行先进存储器技术攻关，将有望加速突破技术瓶颈。3D NAND FLASH作为一种新兴的存储器技术，其演进逻辑是依靠三维芯片堆叠而不仅是工艺制程缩小，相比2D NAND FLASH 拥有体积更小、容量更大、成本更低等优势。

3、我们认为，项目以3D NAND Flash 存储器作为突破口，起点高、投资力度大，在国家的大力支持下，有望突破存储器相关的技术瓶颈并实现量产。

重申观点：国内存储芯片产业取得重大突破，打造IDM 模式，将实现进口替代

1、存储芯片是集成电路的三大品类之一，广泛应用于内存、U 盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域，其销售额占据整个芯片产业的比重超过25%，其技术能反映一个国家或地区的半导体发展水平。根据赛迪顾问的数据，2014年中国存储芯片市场规模达到2465.5 亿元，占国内集成电路市场份额的23.7%。国内存储芯片几乎100%来自进口，每年进口存储芯片的金额高达600 亿美元。

2、项目将以存储芯片制造环节为突破口，形成涵盖存储器芯片设计、制造、封装测试、技术研发等全产业链的IDM 模式，为国内电子信息产业的转型升级提供有效支撑。我们认为，项目的启动将实现国产存储器芯片从0 到1 的突破，填补国内存储器产业的空白，表明国家集成电路产业发展战略在存储器芯片领域落地，将有效保障国家信息安全。

三、投资建议

重点推荐：存储器芯片设计，兆易创新；半导体材料领域，上海新阳、江丰电子；半导体晶圆厂房工程建设领域，太极实业；存储器封测及模组，深科技。

四、风险提示：

1、项目推进不及预期；2、关键技术突破不及预期；3、市场竞争加剧。