投资要点

功率半导体器件：实现电能转换、电路控制的核心器件，全球市场规模达160 亿美元。功率半导体器件又称电力电子器件，是实现电能转换、电路控制的核心器件，市场规模达160 亿美元，占全球半导体市场的4%。半导体器件行业向好之原因在于：1）短期来看，下游汽车领域需求旺盛且毛利较高导致转产，使得3C 领域功率器件产能较低，交货周期延长带来单价调涨。2）长期来看，功率半导体器件行业显著受益于新能源汽车、风电、光伏等落地，预计仅国内将带动每年超200 亿元市场。目前功率半导体器件主要有二极管、硅基MOSFET、硅基IGBT，此外碳化硅基器件由于其高压高频低损的优势，渗透率逐步提升。

功率二极管：最传统功率器件，市场空间超50 亿美元，受益供需关系及转单效应助力国厂率先突破。功率二极管作为品类中最传统的功率器件，主要用于整流、开关、稳压等，全球市场规模超50 亿美元。目前市场相对分散，巨头Vishay 份额超10%，其余均不超8%，国厂扬杰科技在2%左右。国际大厂由于产品毛利少逐步退出，导致供需紧张，交货周期延长，价格持续上扬，大陆和台湾厂商有望凭借低成本优势以及产业扶持政策逐步占据市场，成为功率器件中率先突破的子领域。

Si 基MOSFET：中短期内中低压MOSFET 缺货和涨价持续，长期看消费电子和汽车电子引领超70 亿美元市场。MOSFET 将功率器件的应用从工业应用拓展到了4C 领域，其中消费和汽车占比超60%。2016 年MOSFET市场规模近62 亿美元，预计未来5 年CAGR 将达3.4％，总规模超70 亿美元。目前国际巨头英飞凌市场份额近28%，国厂士兰微和华微电子则分别为1.9/1.1%，并且集中在低压MOSFET 等中低端产品。2016 年建广资本收购NXP 标准产品业务部门并成立独立公司Nexperia，产品主要面向汽车电子等中高端市场，有望带领国内厂商突破高端MOSFET 领域。

Si 基IGBT：新能源汽车与发电占据70%产品需求，带动每年超40 亿美元市场。IGBT 集BJT 与MOSFET 优点于一身，应用拓展至新能源汽车、新能源发电、轨道交通等领域。受益于新能源汽车的爆发式增长和新能源发电的持续渗透，我们预测两大市场带动的IGBT 需求可达每年30 亿美元，总市场规模超40 亿美元。国际龙头英飞凌、三菱电机等CR4 达70.8%，行业集中度高并且海外厂商优势明显。国内厂商方面，中国中车立足于动车用IGBT，产线满产后将具备年产12 万片8 英寸IGBT 芯片和100 万只IGBT 模块能力。嘉兴斯达已开发近600 种IGBT 模块产品，实现产业化。

SiC 基器件：成本高企，性能优越，高端市场渗透有望提升。第三代SiC功率器件具有高压、高频、高效率、低损耗等优势，截至2018 年1 月第三代半导体品类已近700 种，近两年增长迅猛，但是相比于硅器件5-6 倍的成本仍是其推广的最大掣肘，我们预计其在高端市场渗透率将进一步提升，市场规模从2015 年的2 亿美元上升至2020 年的8 亿美元，5 年CAGR 达39%。

风险因素：功率器件行业景气度下行，投产项目进度不及预期，下游市场需求不及预期。

投资策略。我们认为功率二极管、中低压MOSFET 等中低端领域，中短期内仍然供不应求，中长期来看是则进口替代主战场；高压MOSFET、IGBT等中高端功率器件领域，将是相关厂商发展必争之地；第三代SiC 材料性能突出，高端市场渗透率有望提升。首次覆盖，给予功率半导体器件行业“强于大市”评级，重点推荐扬杰科技、捷捷微电、士兰微和华微电子。