12月30日，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”或“公司”，股票代码02577.HK)在香港联合交易所主板挂牌上市。

英诺赛科成立于2017年，是一家专注于第三代半导体氮化镓芯片研发与制造的高新技术企业，产品主要包括分立器件、集成电路、晶圆、模组等。截至2023年末，以折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率高达42.4%。

作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司，英诺赛科在多个技术及应用领域取得了显著成就。与6英寸硅基氮化镓晶圆相比，英诺赛科8英寸硅基氮化镓晶圆量产技术能够使每晶圆的晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%。

根据弗若斯特沙利文的数据，氮化镓功率半导体产业规模增长迅速，预计到2028年，全球市场规模将达到501亿元人民币，占全球功率半导体市场的10.1%。相比传统硅材料，氮化镓凭借高频、高耐压和高电子迁移率等性能优势，已在电动汽车、数据中心、光伏发电站等领域展现出广阔应用前景。

随着公司在港交所主板的成功上市，有望借助国际资本市场的力量进一步提升其在全球氮化镓市场的地位。展望未来，英诺赛科将进一步加速技术创新和业务拓展的步伐，提升品牌影响力和市场竞争力，巩固其作为全球龙头的地位，在新一轮全球化产业竞争中创造更加辉煌的成就。