招商证券发布研报称，存储行业不同细分领域表现明显分化，高端存储器价格表现较好，消费类产品价格跌至周期底部；但伴随HBM等高端存储器需求持续旺盛，叠加减产效应下整体供需格局明显改善，部分NAND产品价格拐点显现，存储模组等厂商盈利能力亦有望得到修复。2025年国内存储行业将持续围绕消费类产品边际复苏+高端产品国产替代+端侧产品创新加速三大主线，建议重点关注国内存储模组、利基存储芯片及配套供应链公司机遇。

供给侧，伴随海外存储原厂针对性减产和去库存，部分NAND等产品价格拐点显现。需求侧，一方面多家云厂商未来资本开支指引较好，HBM、eSSD等需求旺盛，国内存储IDM厂商和配套供应链公司加速国产替代；另一方面算力下沉趋势确立，嵌入AI大模型的手机/PC/可穿戴等产品存储容量持续提升，边缘侧算力要求带来存算一体等创新加速。

招商证券主要观点如下：

存储原厂减产效应下整体供需格局进一步改善，NAND等产品价格拐点趋近

供需格局的不同导致存储器不同细分领域表现分化，高端产品需求和价格表现较好，但消费类产品价格持续承压，同时NAND价格表现明显弱于DRAM。但最近几个季度以来，存储行业发生明显积极变化，高端存储器需求持续旺盛，同时消费类、NAND等过剩产能持续去化，整体供需格局持续边际改善，NAND等部分产品价格拐点趋近，模组等厂商盈利能力亦有望边际修复。

1)供给侧：原厂积极减产尤其是针对NAND部分，2025年针对消费类等传统产品资本支出规划相对保守；2)需求侧：高端产品需求旺盛，消费类产品温和复苏，AI渗透率提升带来存储扩容增量需求；3)库存端：需求温和复苏，原厂减产效应显现，供需格局明显改善，海外龙头厂商库存趋近健康水平。

4)价格端：2月以来DDR5等高端DRAM产品价格维持高位，利基DDR3等价格依然有所承压，NANDFlashWafer价格边际改善，部分存储模组厂商预期25Q2部分产品有望迎来价格拐点；5)销售端：产品结构改善带来海外龙头收入持续同比复苏，中国台湾存储模组厂商2月收入表现较好，部分厂商表示部分客户备货意愿增强。

高端存储器景气延续，国产替代进程加速

24Q4北美互联网云厂商资本开支同比高增长，多家厂商2025年资本开支指引乐观；三大存储原厂2025年资本开支将聚焦HBM、eSSD等高端存储器扩产，指引景气延续，美光将2025年HBM市场规模指引从250亿美元提升至300亿美元。国内厂商在高端存储器领域加速追赶，以长存长鑫为代表的厂商分别在多层3DNAND、LPDDR5等领域快速追赶，部分产品性能媲美海外龙头；另外近期韩媒报道，三星将在下一代V10NAND产品上和长存合作，侧面印证了国产存储IDM技术实力。同时，在美国出口管制加剧的背景下，国内存储厂商，以及HBM等配套设备/材料厂商加速推动国产化进程。

AI端侧产品逐步落地，存储模组+利基芯片持续扩容

根据SK海力士指引，2025年AI手机和PC渗透率将分别增长至约30%和30-40%；在前期2025年CES大会上，多款AI+AR眼镜产品亮相。近期Deepseek等大模型推出，通过自研分布式训练框架降低单次模型训练成本，显著降低算力需求，使复杂模型在边缘设备(如手机、IoT设备)上运行成为可能，将进一步加速搭载AI大模型的端侧产品落地。AIPC、手机、可穿戴产品存储模组和利基存储芯片扩容趋势明确，例如AI手机平均DRAM容量从8GB增至12-16GB、AIPC平均DRAM容量从12GB增至16-64GB、AI耳机NOR容量从64-128Mb增至256Mb。

存算一体打破存储“双墙”限制，算力下沉需求加速存储创新

传统服务器计算芯片与存储器采用并行架构，CPU在处理来自片外DRAM数据时，常用　　数据会被存储在缓存中，一方面，CPU和主内存之间有限带宽会限制数据交换速度，从而形成“存储墙”；另一方面，数据搬运能耗极高，形成“功耗墙”。存算一体方案应运而生，可通过采用2.5D/3D互联等近存计算或者采用HBM、新型存储器等存内计算的方式，突破存储“双墙”限制。

另外，算力逐步从云端下沉至边缘端，边缘设备除了提出算力需求，还对灵活性、成本、功耗等提出要求，将进一步加速存算一体方案创新，以华邦电CUBE为代表的定制化存储+堆叠封装方案可用于多种边缘设备，能够在小容量同时实现高带宽。

投资建议

2025年国内存储市场将围绕周期边际复苏+高端存储国产替代+端侧存储扩容及创新三大主线，建议重点关注1)受益于消费类存储边际复苏的存储模组和利基存储芯片厂商；2)受益于国产高端存储器领域的持续突破、以及HBM配套设备/材料国产替代趋势的标的；2)受益于AI端侧存储扩容和潜在受益于存算一体等创新加速的标的。

风险提示

下游需求不及预期、行业竞争加剧、宏观经济形势变化、存储国产替代不及预期、长江存储等受美国出口管制加剧的风险。