【智己汽车致歉：小米SU7 Max版前后电机均采用SIC碳化硅模块 发布会系错误标注】财联社4月9日电，智己汽车发布致歉函，在刚刚结束的[超越一切向往]智己L6超级智能轿车发布会过程中对标近期同级流量热议的小米SU7产品力介绍过程中，由于团队内容审核疏漏，造成一处关键参数的错误标注，澄清如下：小米SU7 Max版前后电机均采用SIC碳化硅模块，与智己L6所采用的技术一致，均为行业顶尖的技术标准小米汽车及旗下产品SU7，是我们尊敬的竞争队友！由于内审出现疏漏，造成对小米汽车的负面影响，我们深表歉意

【德州仪器：正在将GaN半导体生产工艺向8英寸过渡】《科创板日报》5日讯，德州仪器正在将GaN（氮化镓）生产工艺从6英寸向8英寸过渡，以提高产能、获得成本优势。德州仪器韩国总监Ju-Yong Shin表示，公司传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体，达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺，日本会津工厂则正在将现有的硅基8英寸产线转换为GaN半导体产线。

【芯联集成与理想汽车签订战略合作协议】财联社3月1日电，科创板公司芯联集成宣布与理想汽车正式签署战略合作框架协议，双方将在碳化硅领域展开全面战略合作。按照相关协议签署，芯联集成和理想汽车将在碳化硅领域一起积极推动产品化进程，共同提升双方的市场竞争力。同时，双方也在积极讨论下一步将在模拟IC等领域展开深度合作。

①芯片龙头ARM美股股价周一盘中飙涨达42%，2.7-2.12期间四个交易日累计最大涨幅近130%。A股方面，全志科技、国民技术和富瀚微等旗下产品支持Arm架构；②梳理在互动平台回复业务涉及ARM生态产业链的A股上市公司名单（附表）。

①芯联集成在建9万片/月的12英寸量产线，已建成了约2万片/月的产能。 ②芯联集成在建的国内第一条8英寸SiC器件研发产线将于2024年通线，2024年SiC业务营收预计将超过10亿元。 ③芯联集成预计2023年度营收、息税折旧摊销前利润、经营性现金流均有不同程度的增长。

【北京：加快推进集成电路重大项目 深化拓展第三代半导体产业发展】财联社2月1日电，2024年北京市政府工作报告重点任务清单发布，其中提到，加快推进集成电路重大项目，增强装备研发生产能力，在光电集成、芯粒技术等领域实现更大突破。深化拓展第三代半导体产业发展。

5%增长对应的是2000亿元增量，在全球十大城市中，纽约以7万亿美金的GDP排名第一，但增速通常在1%-2%之间，5%的增速，反映出在自身总量较大这一背景下，上海依然保持了较好增速。

①多家功率半导体企业近期陆续发布涨价通知函，捷捷微电周一触及20CM涨停。 ②券商研报指出，功率半导体市场供需关系有望迎来优化，产品价格拐点已现。梳理受益上市公司名单（附股）。

【英飞凌已与SK Siltron签订碳化硅晶圆长约】《科创板日报》15日讯，英飞凌已与碳化硅供应商SK Siltron CSS正式签署长约，根据该协议，SK Siltron将为英飞凌供应6英寸SiC晶圆；在后续阶段，SK Siltron将协助英飞凌向8英寸SiC晶圆直径过渡。

【DISCO推出新型SiC晶圆切割设备 速度提升10倍】《科创板日报》12日讯，日本半导体设备大厂Disco开发出一款新型SiC（碳化硅）晶圆切割设备DFG8541，可加工最大尺寸为8英寸的硅和碳化硅晶圆，并将SiC晶圆的切割速度提升至原来的10倍。

①中外科学家已经制造出了第一个由石墨烯制成的功能性半导体； ②这一突破为制造电子产品的新方法打开了大门； ③新产品电子迁移率是硅的10倍，而且还具有硅所没有的独特性能。

【首个石墨烯制成的功能半导体问世】财联社1月4日电，日前，美国佐治亚理工学院研究人员创造了世界上第一个由石墨烯制成的功能半导体。研究团队使用特殊熔炉在碳化硅晶圆上生长石墨烯时取得了突破。他们生产了外延石墨烯，这是在碳化硅晶面上生长的单层。研究发现，当制造得当时，外延石墨烯会与碳化硅发生化学键合，并开始表现出半导体特性。测量表明，他们的石墨烯半导体的迁移率是硅的10倍。该项突破为开发全新电子产品打开了大门。研究发表在《自然》杂志上。

【小米汽车发布CTB一体化电池技术】财联社12月28日电，在小米汽车技术发布会上，小米集团董事长雷军宣布，发布CTB一体化电池技术，全球最高体积效率77.8%。小米800V碳化硅高压平台，最高电压达871V。

【意法半导体与理想汽车签署碳化硅长期供货协议】财联社12月22日电，意法半导体官微宣布，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议，意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。据介绍，理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET技术。

【罗姆与东芝就合作制造功率器件达成协议】财联社12月21日电，罗姆株式会社和东芝电子元件及存储装置株式会社在功率器件的制造和增产方面的一项合作计划已得到日本经济产业省的认可。罗姆和东芝将分别对碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件进行增效投资，提升其供应能力，并以互补的方式利用对方的产能。

【中金：碳化硅2024年有望迎接大规模放量】财联社12月15日电，中金公司研报指出，近期，随着多款搭载800V平台的车型发布，以及头部材料厂商扩产计划超预期，碳化硅产业链迎来频繁催化。我们认为，需求端新能源车+光伏上量与供给端良率突破或于2024年迎来共振，碳化硅有望迎接大规模放量；国内厂商产能规划亦积极，提升了设备国产化需求，建议关注价值量占比较高的衬底+外延设备。考虑到国产设备将率先应用于国内市场与设备前置投资，我们测算明年国内衬底+外延设备空间将增至90亿元。若后续技术趋于成熟、考虑设备出

【日本半导体设备商迪思科研发新型切割机 已开始面向部分客户供货】 《科创板日报》12日讯，半导体切割设备制造商迪思科（DISCO）开发出了车用节能半导体的新型切割机，速度是过去的10倍。据悉，碳化硅（SiC）作为半导体材料的功率效率很高，但材质偏硬很难加工，新设备的研发将确立新一代功率半导体的量产技术，有望推动纯电动汽车的普及。目前，迪思科已开始面向部分客户供货，将在订单增加之后正式量产。

①在当今最尖端的纳米级半导体中，声子并不能带走足够的热量； ②因此，美国普渡大学的研究人员希望在传热高速公路上开辟一条新的纳米通道； ③于是，他们对一种被称为“极化子”的混合准粒子进行了研究。

【东芝拟投资罗姆半导体位于日本宫崎的功率芯片新厂】财联社12月7日电，知情人士透露，东芝计划投资罗姆半导体位于日本九州宫崎县的新工厂。该厂将主要生产碳化硅功率芯片。据悉，东芝将于本月晚些时候公布投资计划，尚不清楚东芝的投资规模。东芝发言人表示，目前尚未做出任何决定。

【中信证券：超充桩部署有望提速 关注整桩及零部件】财联社12月1日电，中信证券研报指出，11月28日，华为宣布到2024年度部署超充桩超过10万个，我们预计对应市场空间接近600亿元。同时，特斯拉宣布对中国大陆地区充电网络开放升级，特斯拉官微宣布，预计350+座超充站对非特斯拉车辆开放。头部企业着重布局超充设备，叠加主流车企的超充车型快速增加，我们预计超充有望在车桩两端产品密集推出的背景下快速发展。从电气角度，超充有助于碳化硅应用以及继电器、熔断器规格提升。从散热角度，液冷提升散热能力，降低噪音

①智界S7搭载华为“巨鲸”800V碳化硅高压电池平台。 ②今年已有小鹏G6、极氪X、智己LS6等多款20-25万元价格段的标配碳化硅车型上市，未来仍将有同价格段车型如极氪007等上市。 ③券商指出，新势力车企的高性能策略已强势拉动碳化硅渗透，碳化硅市场未来将由新能源汽车主导拉动。

【第三代半导体板块拉升 民德电子20CM涨停】财联社11月29日电，早盘第三代半导体板块拉升，碳化硅方向领涨，民德电子、天富能源涨停，东尼电子触及涨停，露笑科技、天岳先进涨幅靠前。消息面上，余承东表示，智界S7全系搭载 800V 碳化硅高压平台。民生证券研报认为当下智能车的创新，依旧聚焦于续航+智驾，而破局之钥则是碳化硅及激光雷达。碳化硅国内生态正逐步完善，国产SiC产业链有望快速崛起。

①存储巨头SK海力士和三星开启HBM新一轮产能、技术战。 ②环氧塑封料牛股凯华材料周五收盘6天5个30cm涨停，“傍上”SK海力士的亚威股份周三收盘5连板股价创历史新高。 ③梳理6家业务涉及环氧塑封料以及5家与SK海力士有HBM或相关合作的A股上市公司名单和具体情况（附表）。

【江苏：加快培育第三代半导体、氢能、新型储能、通用智能、虚拟现实等10个成长型未来产业】财联社11月9日电，江苏省政府近日发布关于加快培育发展未来产业的指导意见。到2025年，建设10个未来产业（技术）研究院、未来技术学院、未来产业科技园等平台载体，引育50个未来产业领军人才（团队），涌现一批具有核心竞争力的关键技术、应用场景和重点企业，南京、苏州率先建设未来产业先导区，重点领域、关键产业实现从小到大、从无到有，加快培育第三代半导体、未来网络、氢能、新型储能、细胞和基因技术、合成生物、通用智能、

①闻泰科技称，向Siliconix出售NWF股权，主要是为了保护NWF员工与客户的利益，更好地保护广大投资者利益； ②公司未来的晶圆产能增加主要通过安世半导体英国曼彻斯特和德国汉堡晶圆厂的自有产能升级、扩充外协等方式实现。

【晶盛机电年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目正式签约启动】财联社11月4日电，据晶盛机电消息，11月4日，晶盛机电举行“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式。目前，公司已建设了6-8英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线，6英寸衬底片已通过多家下游企业验证，正处于快速上量阶段，8英寸衬底片处于小批量试制阶段。此次签约项目总投资21.2亿元，建成后，晶盛机电将利用自身的技术和资源优势，加快碳化硅衬底片的关键核心技术攻关和产业化，加速推进第三代半导体材料国产化

【环球晶：此前低估8吋碳化硅需求爆发力 将加快产能建设、预计2025年放量生产】《科创板日报》26日讯，半导体晶圆供应商环球晶董事长徐秀兰今日表示，此前错估客户对8吋碳化硅（SiC）需求爆发力，环球晶将加快8吋碳化硅基板产能建置，预估明年将送样给所有需要8吋基板的客户进行认证，并于2025年放量生产，集团设定6吋和8吋年产100万片目标，预估2026年8吋比重将超越6吋。

【李家超：明年成立香港微电子研发院 研究第三代半导体核心技术】财联社10月25日电，香港特区行政长官李家超表示，明年内成立“香港微电子研发院”，研究第三代半导体核心技术，联动大湾区内完备的制造业产业链和庞大的市场。数码港也将在明年分阶段设立人工智能超算中心，支撑科研及相关行业的强大算力需求，推动产业发展；为促进大学科研成果转化，将每所指定大学技术转移资助上限增加一倍至1600万港元，“产学研1+计划”首批申请结果明年第一季度公布。（记者 成孟琦）

【安森美富川碳化硅厂完成扩建 2025年产量可达每年100万颗】《科创板日报》24日讯，安森美宣布，韩国富川市的碳化硅 (SiC) 工厂扩建工程已竣工，目标明年完成设备安装，到2025年该厂SiC半导体产量预计将增至每年100万颗。

【三安光电8英寸碳化硅衬底进入小批量生产及送样阶段】《科创板日报》23日讯，三安光电今日宣布，子公司湖南三安8英寸碳化硅衬底已完成开发，产品进入小批量生产及送样阶段。据悉，依托精准热场控制的自主PVT工艺，湖南三安8英寸碳化硅衬底实现更低成本及更低缺陷密度，后续将持续提升良率，加快设备调试与工艺优化，并持续推进湖南与重庆工厂量产进程。（记者 郭辉）