【拜登和莫迪宣布计划在印度建设芯片厂】财联社9月23日电，美国和印度达成一项协议，将共同在印度建立一家芯片制造厂，以强化印度总理纳伦德拉·莫迪加强该国制造业的努力。这家计划中的工厂将生产红外、氮化镓和碳化硅芯片。

【福建一批重大项目在投洽会上集中签约 投资超千亿元】财联社9月9日电，第二十四届中国国际投资贸易洽谈会正在福建厦门市举行，一批重大项目在展会上集中签约。福建50个重大项目在投洽会现场集中签约宣布开工，项目聚焦新能源、新材料、生物医药、第三代半导体等战略性新兴及未来产业领域，计划投资达1100.4亿元。

【晶升股份：碳化硅切割设备正在两家客户现场进行多轮工艺测试】《科创板日报》23日讯，晶升股份在接受调研时表示，碳化硅切割设备进展顺利，目前正在两家客户现场进行多轮工艺测试，近几轮测试结果显示设备的主要技术指标与进口同类型产品指标接近，后续公司将在持续优化的同时，验证产品长期运行量产的可靠性和稳定性。碳化硅8英寸单片外延设备也已发往客户现场进行测试，另一款多片外延设备在内部完成了组装热试工作，内部调试结束后也会尽快与合作伙伴开始工艺验证。

【万业企业与国家第三代半导体技术创新中心签署战略协议】财联社8月19日电，据万业企业消息，近日，万业企业与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）举行《协同创新发展全面战略合作协议》签署仪式。双方将瞄准第三代半导体产业应用需求，围绕先进半导体设备和工艺关键技术，共同培育和承担各类重大项目，开启推动第三代半导体产业自主可控发展“芯”征程之钥。

【安森美与工业材料供应商Entegris签署供应协议】《科创板日报》8日讯，工业材料供应商Entegris表示，已与芯片制造商安森美半导体达成长期供应协议，提供制造碳化硅（SiC）半导体的技术解决方案。据此前消息，安森美计划在今年晚些时候对200mm（8英寸）碳化硅（SiC）晶圆进行认证，并于2025年投入生产。

【安森美将为大众汽车集团下一代电动汽车提供电源技术】《科创板日报》23日讯，安森美官微宣布，该公司已与大众汽车集团签署一项多年协议，成为其可扩展系统平台（SSP）下一代主驱逆变器的主要供应商，提供完整的电源箱解决方案。该解决方案在集成模块中采用了基于碳化硅的技术，可扩展至所有功率级别，从大功率到小功率主驱逆变器，兼容所有车辆类别。

【中信证券：碳化硅衬底是碳化硅产业链的核心上游】财联社7月16日电，中信证券研报指出，以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高等特点，是半导体产业未来发展的重要方向。碳化硅衬底位于碳化硅产业链的核心上游，采用碳化硅功率器件的高压快充新能源汽车更能适应其增加续航里程、缩短充电时间和提升电池容量等需求，预计将成为未来的主流选择，驱动碳化硅衬底需求进一步增长。

①北方华创对网传“被审查”事件辟谣，称公司保留追责的权利，会进行相关处理； ②北方华创发布业绩预告，预计上半年净利润25.7亿-29.6亿元，同比增长42.84%-64.51%。

【泸州老窖旗下基金入股泰科天润半导体】财联社7月1日电，天眼查显示，近日，泰科天润半导体科技（北京）有限公司发生工商变更，新增泸州老窖旗下广州壹期金舵投资合伙企业（有限合伙）为股东。泰科天润半导体科技（北京）有限公司成立于2011年4月，法定代表人为陈彤，注册资本约2.77亿人民币，经营范围含研发、批发半导体器件，制造电子元器件设备等，现由陈彤、SK海力士（无锡）投资有限公司、广发乾和投资有限公司，以及三峡基金、国融工发、洪泰基金等多家投资基金共同持股。公开信息显示，泰科天润专注于碳化硅芯片和碳

【中央硝子新技术让碳化硅功率半导体成本降10%】《科创板日报》26日讯，日本中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液来制造碳化硅基板的技术。该技术更容易增大基板尺寸以及提高品质，可使基板的制造成本降低1成以上，不合格率也会大幅降低。中央硝子运用该技术成功量产出了6英寸口径基板。

①记者从多家功率半导体公司采访获悉，整体来看，功率半导体最坏的时刻已经过去，各大晶圆厂的产能已经接近满载，涨价成为行业内热议的话题。 ②华鑫证券毛正认为，随着交期、库存逐步改善，和下游需求逐步复苏的节奏，再次看到功率半导体行业景气度回升的信号。

【意法半导体与吉利汽车集团签署长期碳化硅供应协议并建立联合实验室】财联社6月4日电，意法半导体与吉利汽车集团宣布，双方已签署了一份长期碳化硅（SiC）供应协议，以加速双方在SiC器件方面的现有合作。此外，基于双方在多个汽车应用领域的长期合作，吉利和意法半导体建立了一个联合实验室，用来交流信息并探索与汽车电子/电气架构、高级驾驶辅助（ADAS）等相关的创新解决方案。

【东风汽车：智新半导体第二条生产线预计7月批量投产】财联社5月22日电，东风汽车消息，东风与中车合作在武汉成立智新半导体，开展自主攻关，研发生产车规级的IGBT模块，并顺利实现了IGBT产品量产，一期产能30万只，主要生产400V硅基IGBT模块，与国外产品相比，价格降低50%，实现了国产IGBT模块从无到有的突破。智新半导体第二条生产线今年4月已经投用，规划产能40万只，兼容生产400V硅基IGBT模块和800V碳化硅模块，产线的国产化率达到70%，预计7月批量投产，10月大批量投用。此外，智

【士兰微：目前碳化硅订单处于客户追交付状态】在今天下午举行的士兰微2023年度暨2024年第一季度业绩暨现金分红说明会上，公司总经理郑少波表示，目前公司碳化硅订单处于客户追交付状态，预计碳化硅主驱模块装车5月单月将超过8000辆、6月单月将超过2万辆；4月份公司6吋、8吋基本满产，5吋、12吋产能利用率80%左右。（财联社记者 汪斌）

①北一半导体成立于2020年，来自边陲小城穆棱，后者隶属于黑龙江省牡丹江市，创始人是一位返乡创业家，在韩国三星有21年的工作经验； ②北一半导体近两轮融资都与“产线扩建”有关，在技术上，北一半导体也从IGBT模组转移到碳化硅Mosfet上。

【北京市委书记尹力：顺义区要进一步加快布局信息技术、智能装备、医药健康等战略性新兴产业】财联社4月27日电，昨日下午，北京市委书记尹力围绕“充分发挥首都优势，推动会展业高质量发展”到顺义区调查研究。尹力在调研时指出，顺义区是现代制造业大区，具有坚实的产业基础和发展优势，要推动高端制造业挑大梁。持续深化创新产业集群示范区建设，完善与“三城”对接机制，推动更多科技成果转化。汽车产业发挥头部企业带动作用，吸引更多核心零部件项目落地，推动汽车制造、汽车展览、工业旅游融合发展。第三代半导体产业聚焦核心技术

【智己汽车致歉：小米SU7 Max版前后电机均采用SIC碳化硅模块 发布会系错误标注】财联社4月9日电，智己汽车发布致歉函，在刚刚结束的[超越一切向往]智己L6超级智能轿车发布会过程中对标近期同级流量热议的小米SU7产品力介绍过程中，由于团队内容审核疏漏，造成一处关键参数的错误标注，澄清如下：小米SU7 Max版前后电机均采用SIC碳化硅模块，与智己L6所采用的技术一致，均为行业顶尖的技术标准小米汽车及旗下产品SU7，是我们尊敬的竞争队友！由于内审出现疏漏，造成对小米汽车的负面影响，我们深表歉意

【德州仪器：正在将GaN半导体生产工艺向8英寸过渡】《科创板日报》5日讯，德州仪器正在将GaN（氮化镓）生产工艺从6英寸向8英寸过渡，以提高产能、获得成本优势。德州仪器韩国总监Ju-Yong Shin表示，公司传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体，达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺，日本会津工厂则正在将现有的硅基8英寸产线转换为GaN半导体产线。

【芯联集成与理想汽车签订战略合作协议】财联社3月1日电，科创板公司芯联集成宣布与理想汽车正式签署战略合作框架协议，双方将在碳化硅领域展开全面战略合作。按照相关协议签署，芯联集成和理想汽车将在碳化硅领域一起积极推动产品化进程，共同提升双方的市场竞争力。同时，双方也在积极讨论下一步将在模拟IC等领域展开深度合作。

①芯片龙头ARM美股股价周一盘中飙涨达42%，2.7-2.12期间四个交易日累计最大涨幅近130%。A股方面，全志科技、国民技术和富瀚微等旗下产品支持Arm架构；②梳理在互动平台回复业务涉及ARM生态产业链的A股上市公司名单（附表）。

①芯联集成在建9万片/月的12英寸量产线，已建成了约2万片/月的产能。 ②芯联集成在建的国内第一条8英寸SiC器件研发产线将于2024年通线，2024年SiC业务营收预计将超过10亿元。 ③芯联集成预计2023年度营收、息税折旧摊销前利润、经营性现金流均有不同程度的增长。

【北京：加快推进集成电路重大项目 深化拓展第三代半导体产业发展】财联社2月1日电，2024年北京市政府工作报告重点任务清单发布，其中提到，加快推进集成电路重大项目，增强装备研发生产能力，在光电集成、芯粒技术等领域实现更大突破。深化拓展第三代半导体产业发展。

5%增长对应的是2000亿元增量，在全球十大城市中，纽约以7万亿美金的GDP排名第一，但增速通常在1%-2%之间，5%的增速，反映出在自身总量较大这一背景下，上海依然保持了较好增速。

①多家功率半导体企业近期陆续发布涨价通知函，捷捷微电周一触及20CM涨停。 ②券商研报指出，功率半导体市场供需关系有望迎来优化，产品价格拐点已现。梳理受益上市公司名单（附股）。

【英飞凌已与SK Siltron签订碳化硅晶圆长约】《科创板日报》15日讯，英飞凌已与碳化硅供应商SK Siltron CSS正式签署长约，根据该协议，SK Siltron将为英飞凌供应6英寸SiC晶圆；在后续阶段，SK Siltron将协助英飞凌向8英寸SiC晶圆直径过渡。

【DISCO推出新型SiC晶圆切割设备 速度提升10倍】《科创板日报》12日讯，日本半导体设备大厂Disco开发出一款新型SiC（碳化硅）晶圆切割设备DFG8541，可加工最大尺寸为8英寸的硅和碳化硅晶圆，并将SiC晶圆的切割速度提升至原来的10倍。

①中外科学家已经制造出了第一个由石墨烯制成的功能性半导体； ②这一突破为制造电子产品的新方法打开了大门； ③新产品电子迁移率是硅的10倍，而且还具有硅所没有的独特性能。

【首个石墨烯制成的功能半导体问世】财联社1月4日电，日前，美国佐治亚理工学院研究人员创造了世界上第一个由石墨烯制成的功能半导体。研究团队使用特殊熔炉在碳化硅晶圆上生长石墨烯时取得了突破。他们生产了外延石墨烯，这是在碳化硅晶面上生长的单层。研究发现，当制造得当时，外延石墨烯会与碳化硅发生化学键合，并开始表现出半导体特性。测量表明，他们的石墨烯半导体的迁移率是硅的10倍。该项突破为开发全新电子产品打开了大门。研究发表在《自然》杂志上。

【小米汽车发布CTB一体化电池技术】财联社12月28日电，在小米汽车技术发布会上，小米集团董事长雷军宣布，发布CTB一体化电池技术，全球最高体积效率77.8%。小米800V碳化硅高压平台，最高电压达871V。

【意法半导体与理想汽车签署碳化硅长期供货协议】财联社12月22日电，意法半导体官微宣布，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议，意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。据介绍，理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET技术。