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存储芯片

话题简介:存储芯片是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用,以ASIC技术和FPGA 技术两种方式实现产品化。

收购卢森堡铜箔遇阻 德福科技火速转向国内以解产能“近渴”|速读公告

①因卢森堡经济部附加限制条件,德福科技拟收购高端IT铜箔龙头卢森堡铜箔100%股权事项终止; ②公司同时宣布,拟以现金收购及增资方式收购国内铜箔生产商慧儒科技控股权,以获取其2万吨/年电解铜箔产能,快速应对自身逼近饱和的产能瓶颈。

①因卢森堡经济部附加限制条件,德福科技拟收购高端IT铜箔龙头卢森堡铜箔100%股权事项终止; ②公司同时宣布,拟以现金收购及增资方式收购国内铜箔生产商慧儒科技控股权,以获取其2万吨/年电解铜箔产能,快速应对自身逼近饱和的产能瓶颈。

01-11 19:03

2026首周科创板十大牛股出炉 平均涨幅48% 创新药概念占四席力压商业航天

①纵观榜单,创新药次新股必贝特以68.89%的涨幅位居第一; ②其他行业方面,人工智能、半导体设备、存储芯片等概念亦登上榜单; ③方正证券表示,2026年是“十五五”规划的第一年,未来产业蓄势待发,有望得到完善的发展规划目标及实质性资金支持。

①纵观榜单,创新药次新股必贝特以68.89%的涨幅位居第一; ②其他行业方面,人工智能、半导体设备、存储芯片等概念亦登上榜单; ③方正证券表示,2026年是“十五五”规划的第一年,未来产业蓄势待发,有望得到完善的发展规划目标及实质性资金支持。

01-10 15:28

三星:内存成本上涨 压力或将传导至消费电子产品售价

【三星:内存成本上涨 压力或将传导至消费电子产品售价】《科创板日报》8日讯,三星电子预计,存储芯片供应趋紧正在推动电子行业整体成本上升,部分压力未来可能传导至消费电子产品价格。

【三星:内存成本上涨 压力或将传导至消费电子产品售价】《科创板日报》8日讯,三星电子预计,存储芯片供应趋紧正在推动电子行业整体成本上升,部分压力未来可能传导至消费电子产品价格。

01-08 09:04

AI引爆存储芯片涨价潮!三星Q4营业利润飙升208% 创历史新高

①根据初步业绩,三星电子去年第四季度的营业利润为20万亿韩元(约合138.2亿美元‍),较上年同期飙升208%;这将是三星有史以来最高的季度营业利润; ②三星亮眼的业绩背后,是供应紧张和人工智能驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价格。

①根据初步业绩,三星电子去年第四季度的营业利润为20万亿韩元(约合138.2亿美元‍),较上年同期飙升208%;这将是三星有史以来最高的季度营业利润; ②三星亮眼的业绩背后,是供应紧张和人工智能驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价格。

01-08 08:25

直击存储芯片风口:A股头部公司及“预备队”各家优势一览

①2026年初,存储芯片行业涨价态势升级,引爆A股相关概念板块,普冉股份、香农芯创、兆易创新等热门股股价开年大涨。 ②近来多家存储企业启动A股IPO,包括国内第一、全球第四的DRAM厂商长鑫科技。 ③本文梳理了多家头部存储公司的企业优势,供投资者参考。

①2026年初,存储芯片行业涨价态势升级,引爆A股相关概念板块,普冉股份、香农芯创、兆易创新等热门股股价开年大涨。 ②近来多家存储企业启动A股IPO,包括国内第一、全球第四的DRAM厂商长鑫科技。 ③本文梳理了多家头部存储公司的企业优势,供投资者参考。

01-07 21:02

机构:内存市场已进入“超级牛市” 一季度将再涨40%-50%

【机构:内存市场已进入“超级牛市” 一季度将再涨40%-50%】财联社1月7日电,Counterpoint Research最新报告指出,内存市场已进入“超级牛市”阶段,当前行情甚至超越了2018年的历史高点。在AI与服务器容量需求持续激增的推动下,供应商议价能力已达到历史最高水平。预计2025年Q4内存价格将飙升40%–50%;2026年Q1还将再涨40%–50%,2026年Q2预计再上涨约20%。其中,64GB RDIMM内存的价格已从2025年Q3的255美元大幅上涨至Q4的450美元,并

【机构:内存市场已进入“超级牛市” 一季度将再涨40%-50%】财联社1月7日电,Counterpoint Research最新报告指出,内存市场已进入“超级牛市”阶段,当前行情甚至超越了2018年的历史高点。在AI与服务器容量需求持续激增的推动下,供应商议价能力已达到历史最高水平。预计2025年Q4内存价格将飙升40%–50%;2026年Q1还将再涨40%–50%,2026年Q2预计再上涨约20%。其中,64GB RDIMM内存的价格已从2025年Q3的255美元大幅上涨至Q4的450美元,并

01-07 20:06

存储供需紧张 大型云厂商提前启动2027年产能“捆绑式谈判”

【存储供需紧张 大型云厂商提前启动2027年产能“捆绑式谈判”】《科创板日报》7日讯,产业链调查显示,2026年存储产能空前紧张,大型云服务厂商已经提前启动2027年供货产能的“捆绑式谈判”,将采购量、价格条件与后续年度供货目标一起协商,最快或将于今年一季度敲定2027年供货合同。供应端存储三大原厂短期内难有效扩产。模组厂普遍有颗粒短缺与下游配货压力,业内人士表示大型模组厂实际取得的颗粒,也仅有原先需求的30%~50%;手机与PC等传统应用被排至后段,多数品牌厂今年仅能取得原本50%~70%供应

【存储供需紧张 大型云厂商提前启动2027年产能“捆绑式谈判”】《科创板日报》7日讯,产业链调查显示,2026年存储产能空前紧张,大型云服务厂商已经提前启动2027年供货产能的“捆绑式谈判”,将采购量、价格条件与后续年度供货目标一起协商,最快或将于今年一季度敲定2027年供货合同。供应端存储三大原厂短期内难有效扩产。模组厂普遍有颗粒短缺与下游配货压力,业内人士表示大型模组厂实际取得的颗粒,也仅有原先需求的30%~50%;手机与PC等传统应用被排至后段,多数品牌厂今年仅能取得原本50%~70%供应

01-07 17:39

黄仁勋引爆全球存储行情 英伟达的“革命性架构”到底是什么?

①黄仁勋表示,AI存储需求已超过现有基础设施容量;AI推理瓶颈正从计算转向上下文存储。 ②新平台可将每秒可处理的token数提升最高5倍,并实现最高5倍的能效优化。 ③该平台是首次将AI推理KV缓存当成独立基础设施层来设计。

①黄仁勋表示,AI存储需求已超过现有基础设施容量;AI推理瓶颈正从计算转向上下文存储。 ②新平台可将每秒可处理的token数提升最高5倍,并实现最高5倍的能效优化。 ③该平台是首次将AI推理KV缓存当成独立基础设施层来设计。

01-07 17:13

美光推出首款面向客户端计算的PCIe 5.0 QLC SSD

【美光推出首款面向客户端计算的PCIe 5.0 QLC SSD】财联社1月7日电,美光科技宣布推出美光3610 NVMe SSD,为其首款面向客户端计算的PCIe® 5.0 QLC SSD。该产品采用紧凑型单面M.2 2230外形规格,全球率先采用4TB容量。美光3610 SSD目前已向部分OEM合作伙伴送样,并提供多种外形规格,以及1TB至4TB的容量选择。

【美光推出首款面向客户端计算的PCIe 5.0 QLC SSD】财联社1月7日电,美光科技宣布推出美光3610 NVMe SSD,为其首款面向客户端计算的PCIe® 5.0 QLC SSD。该产品采用紧凑型单面M.2 2230外形规格,全球率先采用4TB容量。美光3610 SSD目前已向部分OEM合作伙伴送样,并提供多种外形规格,以及1TB至4TB的容量选择。

01-07 15:39

AI热潮掀开新篇章:“内存超级周期”将至,重点关注这三家公司!

①人工智能(AI)热潮进入新阶段,关注点从处理数据的芯片转移到存储数据的硬件; ②分析师预测,美光科技、SK海力士和闪迪等公司将在内存领域“发光发热”。

①人工智能(AI)热潮进入新阶段,关注点从处理数据的芯片转移到存储数据的硬件; ②分析师预测,美光科技、SK海力士和闪迪等公司将在内存领域“发光发热”。

01-07 11:30

存储芯片概念大面积高开 普冉股份20cm涨停

【存储芯片概念大面积高开 普冉股份20cm涨停】财联社1月7日电,存储芯片概念大面积高开,普冉股份20cm涨停,走出3天2板,恒烁股份、香农芯创、开普云、江波龙高开超10%,时空科技、德明利、兆易创新、大为股份、北京君正、神工股份跟涨。消息面上,美股SanDisk收涨超27%,创去年2月份以来最大单日涨幅。西部数据涨超16%,创逾五年来最大单日涨幅。美光科技涨超10%,再创历史新高。

【存储芯片概念大面积高开 普冉股份20cm涨停】财联社1月7日电,存储芯片概念大面积高开,普冉股份20cm涨停,走出3天2板,恒烁股份、香农芯创、开普云、江波龙高开超10%,时空科技、德明利、兆易创新、大为股份、北京君正、神工股份跟涨。消息面上,美股SanDisk收涨超27%,创去年2月份以来最大单日涨幅。西部数据涨超16%,创逾五年来最大单日涨幅。美光科技涨超10%,再创历史新高。

01-07 09:30

盘前题材挖掘

【盘前题材挖掘】①隔夜美股存储板块再度狂飙,存储产业链有望持续站上风口。②强脑科技近期完成约20亿元融资,脑机接口行业蓄势待发。③媒体整版报道阿里胰腺癌早筛AI模型,AI应用赛道投资机遇凸显。

【盘前题材挖掘】①隔夜美股存储板块再度狂飙,存储产业链有望持续站上风口。②强脑科技近期完成约20亿元融资,脑机接口行业蓄势待发。③媒体整版报道阿里胰腺癌早筛AI模型,AI应用赛道投资机遇凸显。

01-07 09:11

紫光国芯启动A股IPO辅导 脱胎于英飞凌 聚焦DRAM存储技术

①紫光国芯股票于2024年6月25日在全国中小企业股份转让系统挂牌并公开转让,目前已进入创新层; ②新紫光集团/紫光存储持有公司8128.70万股股份,持股比例59.63%,为公司控股股东。上市公司紫光国微为其第二大股东,持股比例6.78%。

①紫光国芯股票于2024年6月25日在全国中小企业股份转让系统挂牌并公开转让,目前已进入创新层; ②新紫光集团/紫光存储持有公司8128.70万股股份,持股比例59.63%,为公司控股股东。上市公司紫光国微为其第二大股东,持股比例6.78%。

01-07 08:29

隔夜美股存储板块再度狂飙 存储产业链有望持续站上风口

①美股存储概念股集体爆发,美光科技涨超10%再创历史新高,SanDisk收涨超27%,西部数据涨超16%创逾五年来最大单日涨幅,希捷科技涨14%。 ②中银证券认为,伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商进展融资进程提速,国内DRAM全产业链有望实现加速成长。

①美股存储概念股集体爆发,美光科技涨超10%再创历史新高,SanDisk收涨超27%,西部数据涨超16%创逾五年来最大单日涨幅,希捷科技涨14%。 ②中银证券认为,伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商进展融资进程提速,国内DRAM全产业链有望实现加速成长。

01-07 07:53

市场预计三星Q4营业利润有望飙升160%

【市场预计三星Q4营业利润有望飙升160%】财联社1月6日电,本周四(1月8日),全球最大存储芯片制造商三星电子将公布2025年第四季度初步业绩。由于AI热潮下存储芯片严重短缺引爆涨价潮,分析师预计,三星电子第四季度营业利润将同比飙升160%。

【市场预计三星Q4营业利润有望飙升160%】财联社1月6日电,本周四(1月8日),全球最大存储芯片制造商三星电子将公布2025年第四季度初步业绩。由于AI热潮下存储芯片严重短缺引爆涨价潮,分析师预计,三星电子第四季度营业利润将同比飙升160%。

01-06 17:21

AI引爆存储芯片涨价潮 三星Q4营业利润有望飙升160%

①本周四(1月8日),全球最大存储芯片制造商三星电子将公布2025年第四季度初步业绩; ②由于AI热潮下存储芯片严重短缺引爆涨价潮,分析师预计,三星电子第四季度营业利润将同比飙升160%。

①本周四(1月8日),全球最大存储芯片制造商三星电子将公布2025年第四季度初步业绩; ②由于AI热潮下存储芯片严重短缺引爆涨价潮,分析师预计,三星电子第四季度营业利润将同比飙升160%。

01-06 17:11

存储芯片概念反复活跃 恒烁股份涨近10%

【存储芯片概念反复活跃 恒烁股份涨近10%】财联社1月6日电,存储芯片概念反复活跃,恒烁股份涨近10%,香农芯创、佰维存储、江波龙、兆易创新、朗科科技、北京君正、德明利、普冉股份跟涨。消息面上,据报道,三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价,今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。

【存储芯片概念反复活跃 恒烁股份涨近10%】财联社1月6日电,存储芯片概念反复活跃,恒烁股份涨近10%,香农芯创、佰维存储、江波龙、兆易创新、朗科科技、北京君正、德明利、普冉股份跟涨。消息面上,据报道,三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价,今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。

01-06 10:59

TrendForce:2026年Q1各类存储器产品价格全面持续上涨

【TrendForce:2026年Q1各类存储器产品价格全面持续上涨】《科创板日报》5日讯,TrendForce最新调查显示,2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至服务器、HBM应用,以满足AI服务器需求,导致其他市场供给严重紧缩,预估整体一般型DRAM合约价将环比增长55-60%。NAND Flash则因原厂控管产能,和服务器强劲拉货排挤其他应用,预计各类产品合约价持续上涨33-38%。

【TrendForce:2026年Q1各类存储器产品价格全面持续上涨】《科创板日报》5日讯,TrendForce最新调查显示,2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至服务器、HBM应用,以满足AI服务器需求,导致其他市场供给严重紧缩,预估整体一般型DRAM合约价将环比增长55-60%。NAND Flash则因原厂控管产能,和服务器强劲拉货排挤其他应用,预计各类产品合约价持续上涨33-38%。

01-05 19:14

存储芯片概念持续走强 普冉股份20cm涨停

【存储芯片概念持续走强 普冉股份20cm涨停】财联社1月5日电,午后存储芯片概念持续走强,普冉股份20cm涨停,此前云汉芯城20cm涨停,兆易创新回封涨停,恒烁股份、江波龙、开普云、香农芯创均涨超10%。消息面上,在AI强劲需求带动下,2025年存储芯片价格大涨,其中DDR4 16Gb涨幅高达1800%,DDR5 16Gb涨幅高达500%,512Gb NAND闪存涨幅高达300%。

【存储芯片概念持续走强 普冉股份20cm涨停】财联社1月5日电,午后存储芯片概念持续走强,普冉股份20cm涨停,此前云汉芯城20cm涨停,兆易创新回封涨停,恒烁股份、江波龙、开普云、香农芯创均涨超10%。消息面上,在AI强劲需求带动下,2025年存储芯片价格大涨,其中DDR4 16Gb涨幅高达1800%,DDR5 16Gb涨幅高达500%,512Gb NAND闪存涨幅高达300%。

01-05 13:53

存储芯片概念快速拉升 香农芯创涨超10%

【存储芯片概念快速拉升 香农芯创涨超10%】财联社1月5日电,存储芯片概念快速拉升,香农芯创涨超10%,大为股份、德明利、江波龙、北京君正、佰维存储、矽电股份跟涨。消息面上,美股存储芯片大涨,美光科技上涨涨10.51%,刷新历史新高;SanDisk上涨15.95%,西部数据上涨8.96%。

【存储芯片概念快速拉升 香农芯创涨超10%】财联社1月5日电,存储芯片概念快速拉升,香农芯创涨超10%,大为股份、德明利、江波龙、北京君正、佰维存储、矽电股份跟涨。消息面上,美股存储芯片大涨,美光科技上涨涨10.51%,刷新历史新高;SanDisk上涨15.95%,西部数据上涨8.96%。

01-05 09:35

三星电子平泽工厂P5产线建设将于下个月恢复

【三星电子平泽工厂P5产线建设将于下个月恢复】《科创板日报》4日讯,三星电子平泽工厂P5产线的主体结构建设将于今年2月正式恢复。据悉,该产线的建设系三星应对存储超级周期战略的一部分,其投产日期暂定于2028年。

【三星电子平泽工厂P5产线建设将于下个月恢复】《科创板日报》4日讯,三星电子平泽工厂P5产线的主体结构建设将于今年2月正式恢复。据悉,该产线的建设系三星应对存储超级周期战略的一部分,其投产日期暂定于2028年。

01-04 15:43

SK海力士DRAM集群洁净室启用时间提前至2027年3月

【SK海力士DRAM集群洁净室启用时间提前至2027年3月】《科创板日报》4日讯,SK海力士将于2027年3月在其位于龙仁半导体产业集群的生产基地启用首个洁净室,比原计划提前约两个月,为扩张DRAM产能做准备。据悉,该集群是下一代DRAM内存生产基地,其产能包括高带宽内存(HBM),目前正在建设中。

【SK海力士DRAM集群洁净室启用时间提前至2027年3月】《科创板日报》4日讯,SK海力士将于2027年3月在其位于龙仁半导体产业集群的生产基地启用首个洁净室,比原计划提前约两个月,为扩张DRAM产能做准备。据悉,该集群是下一代DRAM内存生产基地,其产能包括高带宽内存(HBM),目前正在建设中。

01-04 15:33

展望半导体2026三大关键词:存储、AI、国产化

①全球头部半导体企业2025年合计销售额突破4000亿美元,创下行业历史新高,2026年这一记录或有望再度刷新。 ②步入2026年,哪些有望成为下一个产业爆点?

①全球头部半导体企业2025年合计销售额突破4000亿美元,创下行业历史新高,2026年这一记录或有望再度刷新。 ②步入2026年,哪些有望成为下一个产业爆点?

01-01 09:30

长鑫科技冲刺科创板 DRAM扩产周期下 哪些公司望分一杯羹?

①昨日晚间,长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO申请正式获上交所受理,融资金额达295亿元。 ②以行业视角观之,当前全球DRAM存储需求紧张,本月SK海力士警告称,DRAM供应短缺状况将持续至2028年。

①昨日晚间,长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO申请正式获上交所受理,融资金额达295亿元。 ②以行业视角观之,当前全球DRAM存储需求紧张,本月SK海力士警告称,DRAM供应短缺状况将持续至2028年。

2025-12-31

存储芯片概念走强 东芯股份涨超11%

【存储芯片概念走强 东芯股份涨超11%】财联社12月30日电,存储芯片概念走强,东芯股份涨超11%,佰维存储、灿芯股份涨超7%,香农芯创、江波龙、神工股份、普冉股份、开普云跟涨。消息面上,三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格,涨幅接近20%。

【存储芯片概念走强 东芯股份涨超11%】财联社12月30日电,存储芯片概念走强,东芯股份涨超11%,佰维存储、灿芯股份涨超7%,香农芯创、江波龙、神工股份、普冉股份、开普云跟涨。消息面上,三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格,涨幅接近20%。

2025-12-30

HBM市场格局或生变?英伟达Rubin出货预期渐浓 存储巨头上演“你追我赶”

①SK海力士将其位于清州的M15X工厂的量产计划提前了四个月,将于明年2月开始量产用于HBM4的1b DRAM晶圆。 ②英伟达相关团队访问了三星,通报了 HBM4 系统级封装(SiP)的测试进展,后者产品在所有内存厂商中取得了最佳表现。

①SK海力士将其位于清州的M15X工厂的量产计划提前了四个月,将于明年2月开始量产用于HBM4的1b DRAM晶圆。 ②英伟达相关团队访问了三星,通报了 HBM4 系统级封装(SiP)的测试进展,后者产品在所有内存厂商中取得了最佳表现。

2025-12-27

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