导语

①AI及HPC等驱动下，HBM需求快速增长，我国为全球最大DRAM市场，近期DDR5迎来突破！

②梳理高带宽存储芯片行业的相关产业链，以期挖掘出后市有望爆发的潜力个股！

事件驱动

据媒体报道，业内人士表示，美光正在研发的下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势。美光的新HBM产品在低功耗性能评估中表现出了优异的成绩。今年年底美光HBM产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为SK海力士和三星电子产能的20%左右，但预计明年将增加三到四倍。

行业透视

一、高带宽缓存存储芯片的优势和全球发展规模

DDR5传输速率起始于4800MT/s，较上一代DDR4提升约50%，在带宽、能效等方面亦有显著提升，能更好地支持AI模型高效运行，AI手机、PC等终端应用加速渗透进程将催化DDR5需求快速增长。2023年DDR5渗透率约20%，24年或突破50%，有望替代DDR4成为DRAM市场主流产品，同时随着产品良率和产能的进一步提升，国内存储产业链迎来更多成长空间。

中长期来看，随着AI模型参数规模不断增大、HPC算力需求攀升，以及 GPU/ASIC加速器在带宽和能耗比上的要求越来越高，HBM、DDR5需求仍将快速增长，并在带宽、堆叠层数、容量和能效方面持续升级，以支撑高性能应用。据Trend Force测算，24年全球HBM市场规模将达183亿美元，同比增幅超300%，预计25年市场规模将进一步增至300亿美元，叠加终端新一轮创新周期的开启、芯片国产化进程提速等因素，存储市场向上空间将进一步打开，芯片产业链设备、先进封装等环节亦将迎来持续成长。

二、AI及HPC等驱动下HBM需求快速增长

受益于AI驱动下HBM、DDR5等需求拉动，2024年前三季度全球存储市场整体呈现增长，据CFM闪存市场数据，2024年前三季度全球存储市场同比增幅达96.8%。存储芯片龙头海力士、三星和美光在HBM市场形成垄断格局；同时HBM3e平均售价约为传统DRAM产品的3-5倍，随着英伟达H系列、B系列等算力芯片的迭代升级，HBM3e产能亦将持续扩张。

全球HBM市场规模增长情况（亿美元）（左）近年来我国存储芯片市场规模及增速（右）

三、我国为全球最大DRAM市场近期DDR5迎来突破

24年我国存储市场规模逆势增长9.3%，明显好于同期全球-29.1%的增速， 且是全球最大的DRAM市场，比重达1/3。24年12月，国产内存制造商金百达与光威相继推出基于国产颗粒的DDR5内存产品，标志着国产存储的又一突破。DDR5传输速率、带宽、能效等方面较DDR4有显著提升，能更好地支持AI模型高效运行，AI手机、PC等终端应用加速渗透进程将催化DDR5需求快速增长，随着产品良率和产能的提升，国产DDR5市场份额有望增长。

投资策略

国开证券认为，一方面从需求来看，尽管24年以来AI和高性能计算驱动下HBM需求快速增长，但当前渗透占比仍为个位数，主要需求仍集中在消费电子、汽车、工控等传统终端领域，而这些领域的需求复苏总体来说不及预期；另一方面供给端增长较快，导致了存储行业周期性波动，预计厂商为应对市场调整，或再度面临减产压力。中长期来看，随着AI模型参数规模不断增大、HPC算力需求攀升，以及GPU/ASIC加速器在带宽和能耗比上的要求越来越高，HBM、DDR5需求将快速增长，并在带宽、堆叠层数、容量和能效方面持续升级，以支撑高性能应用；叠加终端新一轮创新周期的开启、芯片国产化进程提速等因素，存储市场向上空间将进一步打开，芯片产业链设备、先进封装等环节亦将迎来持续成长。

公司梳理

①普冉股份：前三季度业绩高增，期待AIoT催生新需求

②北方华创：国产半导体设备领军者，平台化布局打开成长空间

③中微公司：刻蚀持续高增，薄膜开启放量

风险提示

全球宏观经济下行，贸易摩擦加剧，技术创新不达预期，下游需求不达预期，业绩增长低于预期，中美关系进一步恶化，黑天鹅事件，国内经济复苏低于预期，国内外二级市场系统性风险等。

资料参考

20241231-国开证券-传统终端需求放缓，HBM成新驱动

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